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Semiconductor: IXSK30N60 - ALTO SPEED IGBT CON DIODE IXYS...


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IXSK30N60
ALTO SPEED IGBT CON DIODE IXYS VCES = 600V/IC25 = 55A/VCE = 2V/TFI = 140NS = IXSK30N60BD1 CASE: TO-264

No. de Pedido: IXSK30N60
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Tipo de cambio
de 1-Nov-2025